电动车平台正加速向更高电压、更高功率密度和更优成本效率的方向发展。800伏、900伏，乃至1,000伏以上，不同电压平台背后，是不同的系统需求。
对于碳化硅MOSFET而言，性能并非越高越好，真正重要的是与实际应用需求精准适配。
基于第三代碳化硅沟槽技术，博世针对不同电动车平台的运行条件，优化器件性能与鲁棒性，打造更具针对性的MOSFET产品版本。
其中，博世第三代碳化硅超高性能版本专为800–900伏电池电压平台设计，在满足应用所需鲁棒性的同时，进一步优化效率和功率密度。
面向800–900伏平台的量身优化 博世高级应用工程师Samuel Araujo指出：“我们对应用的深入理解，让我们能够针对不同客户应用，提供更加合适的性能与可靠性组合。” 对于电池电压最高可达1,000伏的应用，博世第三代碳化硅标准版本采用1,350伏额定耐压，在高电压和瞬态过电压条件下提供充足裕量。而对于许多采用800–900伏电池架构的电动车而言，系统设计的重点有所不同：在满足应用所需鲁棒性的基础上，器件设计进一步向更低损耗和更高功率密度倾斜。 因此，博世对第三代碳化硅MOSFET进行了针对性的性能权衡，将设计重点转向降低单位面积比导通电阻（RonA）。这也正是超高性能版本与标准版本最大的技术差异之一。 相比博世第二代碳化硅技术，标准版本已经将RonA降低20%。在此基础上，超高性能版本再进一步降低15%。
博世第三代碳化硅标准版本（浅紫色）侧重于短路耐受能力和高瞬态过电压，而超高性能版本（深紫色）则进一步聚焦于降低单位面积比导通电阻（RonA），以提升电气性能。
超高性能版本进一步降低单位面积比导通电阻（RonA），在保持相同性能的同时，有助于缩小芯片面积，实现更紧凑的芯片设计。 从芯片优化到系统价值 博世宽禁带技术首席专家Jens Baringhaus强调：“芯片层面的每一次改进，都能为系统层面创造新的可能。” 对于牵引逆变器、车载充电机等电动车应用而言，更小的芯片面积有助于实现更加紧凑的系统设计，同时提升封装方案的灵活性。与此同时，更低的电气损耗意味着更少的热量产生，并有助于降低散热需求，使芯片层面的性能优化进一步转化为系统层面的尺寸、热管理和设计灵活性优势。 最终，超高性能版本并非单纯追求某一项参数的极致，而是针对800–900伏平台的实际运行条件，在效率、功率密度、鲁棒性与系统成本之间寻求更加合理的平衡，让碳化硅器件的性能真正服务于具体应用需求。
超高性能MOSFET的五大优势 专为800–900伏平台打造 RonA降低15% 更高功率密度 性能与鲁棒性兼顾 200毫米晶圆制造
针对800–900伏电池电压的电动车平台设计，面向牵引逆变器、车载充电机等应用。
相较于标准版本MOSFET，超高性能版本单位面积比导通电阻进一步降低15%。
相同性能下可采用更小芯片面积，为紧凑型功率电子设计提供更多空间。
针对目标应用优化电气性能，同时保持经过验证的核心鲁棒性水平。
博世新一代碳化硅产品均采用200毫米晶圆技术制造，提升单片晶圆芯片产出，并助力稳定的制造和产品质量。
与客户携手，打造更贴近实际应用的碳化硅产品 博世第三代超高性能版本并非一项孤立于芯片层面的技术创新。博世作为半导体制造商，同时具备完整的功率电子系统开发能力，博世持续与客户深入交流，从芯片、器件到系统理解实际应用需求，并将这些需求融入下一代碳化硅技术的开发之中。 目前，标准版本样品已经可以提供，超高性能版本的首批样品计划于2026年下半年推出。 从更高效率，到更高功率密度，再到更优系统成本，博世碳化硅技术始终围绕“最佳应用适配”，让芯片层面的每一次创新，都更贴近真实的系统需求。 博世碳化硅产品的进化，不只是追求更强的性能，更在于以更精准的技术选择，让每一分性能，都能正正好地发挥到位。
