该款车型被视为小米集团进入新能源汽车领域的重要战略布局，标志着小米集团向自主品牌造车方向迈出了坚实的一步。

2023年12月，小米汽车举行的技术发布会上，针对万众瞩目的小米汽车SU7的各种亮点产品力进行了介绍。小米创办人、董事长兼CEO雷军在会上重磅发布了包括800V SiC技术在内的多项硬核技术。

随着今天的产品发布会脚步越来越近，小米的各类供应商都被一一披露，今天我们重点带大家关注一下小米汽车在动力部分的供应商情况，动力部分，小米SU7提供了单电机和双电机两种动力，其中双电机版车型最大功率为 673 马力，0-100km/h加速时间 2.78 秒，配备容量为 101kWh 的宁德时代三元锂电池，CLTC 续航里程为 800km。单电机版车型最大功率 299 马力，0-100km/h加速时间 5.28 秒，配备容量为 73.6kWh 的弗迪磷酸铁锂电池，CLTC 续航里程为 668km。

电驱方面，根据小米此前的信息披露，小米SU7的400V平台两驱版搭载的是联合汽车电子的SiC电驱，后驱水冷永磁电机（TZ220XS102），而800V四驱版搭载的是汇川联合动力的SiC电驱，前油冷异步电机（YS210XY102），后油冷永磁电机（TZ220XY102），峰值转速21000RPM；

这与盖世汽车发布的小米SU7的供应商信息一致，那么这里面的碳化硅应用情况如何呢？供应商又是谁，InSemi咨询碳化硅产业分析师在调研跟踪时做了进一步的穿透：

400V平台碳化硅供应商--博世汽车电子

小米SU7单电机版，400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子，其中搭载了来自博世的碳化硅芯片，根据调研：其中搭载了博世第二代750V，6毫欧的芯片产品。

根据博世的技术人员介绍，博世第二代750V碳化硅产品将改进体二极管以提高开关速度，在切换速度不变的前提下，减少了50%的dv/dt；实现单位面积Rdson 30%的缩减。这款被搭载在小米SU7上的碳化硅芯片的高温表现良好，175摄氏度高温系数达1.45，完全可以媲美国际大厂的最优一代平面型产品。

博世的碳化硅产品采用了独特的双通道沟槽栅极技术。与平面型和单通道沟槽栅极技术相比，博世的双通道沟槽栅极技术使产品在相同的芯片面积下具有更低的导通电阻，在功率相同的情况下，芯片所需面积更小，因此对于芯片产出与成本控制都有明显优势。此外还可支持更高的结温耐受，支持最高200℃的温度下连续运行。

受益于大陆市场的强劲需求，博世近年来也坚定在碳化硅方面的投入，产能扩张方面也相对积极。五年前，博世决定首先在Reutlingen建立自己的碳化硅芯片生产厂。2021年，博世将再次扩大了这一生产设施。去年，博世又将生产基地的规模扩大了一倍。近期，博世以15亿美元收购了美国一家现有的芯片工厂。目前，该工厂正在全面转产碳化硅。公司的目标是在2026年交付第一批在美国生产的碳化硅芯片。

此外，在对8英寸的晶圆量产节奏上，博世也做出了规划，根据博世集团董事会主席史蒂凡·哈通博士披露，从2026年开始，博世计划在具备高成本效益的200毫米晶圆上制造首批沟槽结构的碳化硅芯片。